{"product_id":"radiation-effects-in-silicon-carbide-9781945291104","title":"Efectos de la radiación en el carburo de silicio","description":"\u003cp\u003eEl libro revisa las publicaciones más interesantes, en opinión del autor, relacionadas con los defectos de radiación formados en 6H-, 4H- y 3C-SiC bajo irradiación con electrones, neutrones y algunos tipos de iones. Al principio, se discuten los parámetros eléctricos del SiC que hacen que este material sea prometedor para su aplicación en la electrónica moderna. También se consideran las características específicas de la estructura cristalina del SiC. Se muestra que, cuando se estudian semiconductores de banda ancha, es necesario tener en cuenta la dependencia de la temperatura de la tasa de eliminación de portadores (ηe), que es un parámetro estándar para determinar la dureza a la radiación de los semiconductores. Los valores de ηe obtenidos por irradiación de varios politipos de SiC con conductividad tipo n y p se analizan en relación con el tipo y la energía de las partículas irradiantes. Se consideran los posibles mecanismos físicos de compensación del material dado. Se analiza la influencia ejercida por la energía de las partículas cargadas sobre cómo se forman los defectos de radiación y se compensa la conductividad en los semiconductores bajo irradiación.\u003cbr\u003e Además, se considera la posibilidad de producir una transformación controlada del politipo de carburo de silicio. Se analiza la implicación de los defectos de radiación en los procesos de recombinación radiativa y no radiativa en SiC.\u003cbr\u003e También se presentan datos sobre la degradación de dispositivos electrónicos de SiC particulares bajo la influencia de la radiación y se llega a una conclusión sobre la resistencia a la radiación del SiC. Por último, se compara la resistencia a la radiación de los dispositivos basados en silicio y carburo de silicio.\u003c\/p\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cb\u003eAutor:\u003c\/b\u003e \u003ca href=\"https:\/\/sureshotbooks-com.myshopify.com\/search?type=product%2Carticle%2Cpage\u0026amp;q=AUTH-2948095\"\u003eA. A. Lebedev\u003c\/a\u003e\u003cbr\u003e\u003cb\u003eEditorial:\u003c\/b\u003e Materials Research Forum LLC\u003cbr\u003e\u003cb\u003ePublicado:\u003c\/b\u003e 01\/01\/2017\u003cbr\u003e\u003cb\u003ePáginas:\u003c\/b\u003e 172\u003cbr\u003e\u003cb\u003eTipo de encuadernación:\u003c\/b\u003e Tapa blanda\u003cbr\u003e\u003cb\u003ePeso:\u003c\/b\u003e 0.52 libras\u003cbr\u003e\u003cb\u003eTamaño:\u003c\/b\u003e 9.00 alto x 6.00 ancho x 0.37 profundo\u003cbr\u003e\u003cb\u003eISBN13:\u003c\/b\u003e 9781945291104\u003cbr\u003e\u003cb\u003eISBN10:\u003c\/b\u003e 1945291109\u003cbr\u003e\u003cb\u003eCategorías BISAC:\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e- \u003ca href=\"https:\/\/sureshotbooks-com.myshopify.com\/search?type=product%2Carticle%2Cpage\u0026amp;q=CAT-TEC\"\u003eTecnología e Ingeniería\u003c\/a\u003e | \u003ca href=\"https:\/\/sureshotbooks-com.myshopify.com\/search?type=product%2Carticle%2Cpage\u0026amp;q=BISAC-TEC021000\"\u003eCiencia de Materiales | General\u003c\/a\u003e\u003cbr\u003e- \u003ca href=\"https:\/\/sureshotbooks-com.myshopify.com\/search?type=product%2Carticle%2Cpage\u0026amp;q=CAT-TEC\"\u003eTecnología e Ingeniería\u003c\/a\u003e | \u003ca href=\"https:\/\/sureshotbooks-com.myshopify.com\/search?type=product%2Carticle%2Cpage\u0026amp;q=BISAC-TEC008090\"\u003eElectrónica | Semiconductores\u003c\/a\u003e\u003cbr\u003e","brand":"Materials Research Forum LLC","offers":[{"title":"Default Title","offer_id":44697031213293,"sku":"9781945291104","price":133.33,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0550\/8097\/6621\/products\/img_37d8fad3-7903-4910-8a37-05e4845bb917.jpg?v=1703811040","url":"https:\/\/sureshotbooks.com\/es\/products\/radiation-effects-in-silicon-carbide-9781945291104","provider":"SureShot Books Publishing LLC","version":"1.0","type":"link"}