Descripción
El libro revisa las publicaciones más interesantes, en opinión del autor, relacionadas con los defectos de radiación formados en 6H-, 4H- y 3C-SiC bajo irradiación con electrones, neutrones y algunos tipos de iones. Al principio, se discuten los parámetros eléctricos del SiC que hacen que este material sea prometedor para su aplicación en la electrónica moderna. También se consideran las características específicas de la estructura cristalina del SiC. Se muestra que, cuando se estudian semiconductores de banda ancha, es necesario tener en cuenta la dependencia de la temperatura de la tasa de eliminación de portadores (ηe), que es un parámetro estándar para determinar la dureza a la radiación de los semiconductores. Los valores de ηe obtenidos por irradiación de varios politipos de SiC con conductividad tipo n y p se analizan en relación con el tipo y la energía de las partículas irradiantes. Se consideran los posibles mecanismos físicos de compensación del material dado. Se analiza la influencia ejercida por la energía de las partículas cargadas sobre cómo se forman los defectos de radiación y se compensa la conductividad en los semiconductores bajo irradiación.
Además, se considera la posibilidad de producir una transformación controlada del politipo de carburo de silicio. Se analiza la implicación de los defectos de radiación en los procesos de recombinación radiativa y no radiativa en SiC.
También se presentan datos sobre la degradación de dispositivos electrónicos de SiC particulares bajo la influencia de la radiación y se llega a una conclusión sobre la resistencia a la radiación del SiC. Por último, se compara la resistencia a la radiación de los dispositivos basados en silicio y carburo de silicio.
Autor: A. A. Lebedev
Editorial: Materials Research Forum LLC
Publicado: 01/01/2017
Páginas: 172
Tipo de encuadernación: Tapa blanda
Peso: 0.52 libras
Tamaño: 9.00 alto x 6.00 ancho x 0.37 profundo
ISBN13: 9781945291104
ISBN10: 1945291109
Categorías BISAC:
- Tecnología e Ingeniería | Ciencia de Materiales | General
- Tecnología e Ingeniería | Electrónica | Semiconductores